量增大。温度对非离子表面活性剂的去污能力的影响是明显的，当温度接近于浊点时，清洗效果最好。通过实验得出30～50℃之间均可，但45℃为最佳。
（6）扫描电子显微镜的观察
通过扫描电子显微镜能谱分析可以得出：研磨片的表面黑点主要是颗粒污染物和碳元素聚集物。
3. 实验结果和讨论
（1） 硅片经过磨片工序后，一直使硅片处于去离子水中浸泡状态，这样在经过清洗机清洗后表面洁净，在化抛后尤为明显， 化抛后硅片表面相当光泽干净，使其合格率大大提高；若由于工艺需要测试硅片厚度或电阻率，使其脱离水后，在重新清洗后的硅片化抛时， 表面大多数会出现暗花及不明显的污染痕迹，直观表面较差。
（2） 清洗次数对清洗效果有很大影响，清洗次数多的硅片比清洗次数少的硅片表面光洁，这就要求在以后的探索中如何控制清洗液的时效性，如清洗四英寸硅片达500片时，需及时更换清洗液。
（3）适当加入有机碱，利用碱的腐蚀性，络合硅片表面的金属离子，以加快清洗的速度，提高清洗的效率。
硅片的清洗在半导体制作过程中十分重要，而磨片的清洗是所有清洗工序中最困难的。由于使用了清洗机，通
过物理渗透作用，使污染颗粒脱离硅片表面，再通过超声波清洗的机械作用和化学腐蚀作用，最终去除污染颗粒，达到了清洗硅片的目的。
常美茹，刘玉岭：中国电子科技集团公司第46研究所半导体材料事业部。