安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)宣布公司的NUS3116充电和电源开关解决方案因其最简单的便携产品充电方法获得EN-Genius Network颁发的“年度产品”奖。
NUS3116是主开关功率MOSFET和双充电双极结型晶体管(BJT)，将主电池开关、墙式充电开关和USB充电开关元件集成到单个元件中，优化充电性能，并节省手持电子设备电路板上弥足珍贵的空间。
EN-Genius Network出版人兼总编辑Paul McGoldrick说：“我们从EN-Genius在2007年评审的数百款产品中甄选出安森美半导体的NUS3116，因为这器件为便携充电应用提供了简单及高性价比的解决方案。”
关于NUS3116
NUS3116集成了主电源开关-12 伏(V)、-6.2安培(A) μCool™单P沟道MOSFET ，处理主电池开关功能，还集成了两个内置低饱和PNP晶体管，处理两个通道充电元件。主开关MOSFET具有40毫欧(mW)的最大导通阻抗RDS(
ON)，将便携电子产品电池工作期间的功率损耗降到最低。两个低Vce(sat)晶体管为高达2 A的充电电流提供良好的热性能，且在充电结束时的Vce压降低于240毫伏(mV)。
NUS3116采用DFN-8封装，仅占用9平方毫米(mm2)的电路板空间，与通常使用三颗TSOP-6封装、需要互连空间的业界解决方案相比，节省了超过20 mm2的板空间。DFN-8封装的高度仅为0.8 mm，使该器件适用于极小外形的便携电子产品设计。采用 NUS3116 集成器件更可降低电路板布线的复杂性。NUS3116每3,000片的批量单价为0.80美元。
更多技术信息，请访问www.onsemi.com.cn，或联系Peter Tang (电邮地址： Peter.Tang@onsemi.com)。