Energy Optimizers选用Ramtron的非易失性F-RAM存储器

技术分类: 电子/测试    来源:设计创新  发表时间:2008-06-27

  全球领先的非易失性铁电随机存取存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商 Ramtron International Corporation 宣布,英国的 ZigBee 和蓝牙 (Bluetooth) 智慧节能设备设计和制造商Energy Optimizers 公司经已将 Ramtron 的 FM25L512 512 千位 (Kb) 串行 F-RAM 存储器,设计用于其 Plogg® 系列无线能量管理插头中。F-RAM 所提供的无延迟 (NoDelay™) 写入、几乎无限的耐用性及低功耗特点,可为该智能功率计提供快速和频繁的数据记录及存储,以便在使用点对电器的能量消耗进行测量、监控和控制。

  Plogg 智能功率计以伏特/安培/瓦特/千瓦/千瓦小时为单位,能监控在家居、医疗部门和办公室等电器的能量使用情况,并将数据记录在缓冲器中。这种无线智能功率计插头可测量多达13 种不同变量,评估能量的使用状况,有助于用户减少能耗、节约成本和保护环境。Plogg 通过蓝牙或 ZigBee 技术为电脑提供无线数据,并可进行电能消耗的实时检测和遥控。

  En

ergy Optimizers 总经理 Shaun Merrick 称:“我们在 Plogg 中采用了 F-RAM 来优化数据记录。当数据记录非常迅速与频繁时 (这正是 Plogg 的设计目的),EEPROM 的耐用性便显得不够,很快就达到极限。针对这种严苛的应用,自然而然地,F-RAM 成了最佳的非易失性存储器选择,具有几乎无限的耐用性。”

  F-RAM 取代 EEPROM以优化数据记录

  在 Plogg 中,F-RAM 以每一分钟至每一个月的间隔,为多达 5,000 种测定值及其相关的日期/时间戳提供快速可靠的数据储存。当以一分钟间隔记录数据时,EEPROM 很快便会达到其耐用极限,因此需要取而代之的非易失性存储器技术。最佳的方案是选择具有几乎无限的耐用性和不会磨损的 F-RAM。

  关于 FM25L512 和 F-RAM

  F-RAM 存储器提供与RAM技术相同的功能,却是非易失性的。F-RAM 提供 “无延迟” (NoDelay™) 写入、几乎无限的写入耐用性 (写入次数大约为1e14),以及低功耗。FM25L512是带有行业标准串行外设接口 (SPI) 的512Kb F-RAM存储器,可以在高达 20 MHz 的总线速度下连续进行读写操作,并提供低工作电流。而同级EEPROM器件的写入延迟长,备有写入轮询软件,耐用性低于100万次写入,且在较高功率下工作。FM25L512 采用无铅的8脚SOIC和TDFN封装,在工业温度范围内工作电压为3V。要了解更多产品信息,请访问网页www.ramtron.com/products/nonvolatile-memory/serial-product.aspx?id=10。

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